大工22春《模拟电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.硅二极管的完全导通后的管压降约为()。
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
2.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
3.当温度升高时,三极管的电流放大系数β将()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
4.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
5.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
6.在共集电极放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输入输出电压相位()。
A.同相
B.反相
C.相差90°
D.不确定
7.在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A.共射组态
B.共集组态
C.共基组态
D.无法确定
8.BJT处于截止状态的条件是()。
A.发射结正偏，集电结反偏
B.发射结正偏，集电结正偏
C.发射结反偏，集电结正偏
D.发射结反偏，集电结反偏
9.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。奥鹏作业答案请进open5.net或请联系QQ/微信：18866732
A.10
B.30
C.100
D.1000
10.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)
11.阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
12.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
13.当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
14.PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
15.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流参数。
16.二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。
17.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能高。
18.对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
19.二极管加正向电压截止,加反向电压导通。
20.二极管是非线性器件。
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