大工2211批次《模拟电子技术》在线作业1-00001
试卷总分:100 得分:100
一、单选题 (共 10 道试题,共 50 分)
1.温度升高,晶体管的管压降│Ube│()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.不确定
2.三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。
A.10
B.30
C.100
D.1000
3.在共射、共集和共基三种基本放大电路中,输出电阻最小的是()放大电路。
A.共射极
B.共集电极
C.共基极
D.不确定
4.关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A.基区很薄且掺杂浓度很低
B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D.集电区面积大于发射区面积
5.对PNP型晶体管来说,当其工作于放大状态时,()极的电位最低。
A.发射极
B.基极
C.集电极
D.不确定
6.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
7.引起共射极放大电路输出波形出现饱和失真的主要原因是()。
A.输入电阻太小
B.静态工作点偏低
C.静态工作点偏高
D.输出电阻太小
8.测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V,则该管为()。
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.PNP型硅管
D.NPN型硅管
9.在共射、共集和共基三种组态中,只具有电压放大作用的组态是()。
A.共射组态
B.共集组态
C.共基组态
D.无法确定
10.测得晶体管三个电极对地的电压分别为2V、6V、2.2V,则该管()。
A.处于饱和状态
B.处于放大状态
C.处于截止状态
D.已损坏
二、判断题 (共 10 道试题,共 50 分)奥鹏作业答案请进open5.net或请联系QQ/微信：18866732
11.直接耦合方式的缺点是输出温度漂移严重。
12.阻容耦合多级放大电路不能抑制零点漂移。
13.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
14.温度升高,晶体管输出特性曲线上移。
15.当环境温度升高时,二极管的正向电压将降低。
16.一般来说,放大电路的输入电阻越大越好,输出电阻越小越好。
17.BJT有三个极、三个区、三个PN结。
18.对于电压放大器来说,输出电阻越小,电路的带负载能力越强。
19.射极输出器无放大功率的能力。
20.当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。
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